意法半导体拥有5万名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，让电源和能源管理更高效，让云连接的自主化设备应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和(在范围1和2内完全实现碳中和，在范围3内部分实现碳中和)。
充电头网在整理历年拆解案例时，发现意法半导体旗下多款芯片以及功率器件进入华为、微软、索尼、谷歌、苹果等多家国内外知名品牌供应链，具体应用案例小编将在下文为您详细介绍。
意法半导体VIPER27L一款开关电源主控芯片，内置800V开关管、PWM控制、两级过流保护、过压和过载保护、热保护、软启动和自动重启，支持高压启动。内置突发模式，运行功耗超低，有助于满足待机节能要求。
芯片内置抖频功能，降低EMI成本。同时内置断电保护功能，可在整流输入电压异常时自动断电，保护整机安全。
意法半导体VIPER28是一颗开关电源主控芯片，芯片内部集成800V高压MOS管，集成高压启动和采样管，采用电流模式控制。
芯片开关频率为115kHz，支持抖频提升EMI性能。该器件集成双电平OCP、输出过压、短路过压、短路和热关断等多项保护功能。故障消除后，电路会自动重新启动。
意法半导体UC3843B提供了实现离线式PWM或DC-DC定频电流模式控制方案所需的功能，外围非常精简。
UC3843B集成一个微调振荡器，用于在电压锁定下实现精确的DUTY CYCLE 控制，启动电流小于 0.5mA。放大器输入端能够直接进行精度微调、确保锁存操作的逻辑，PWM比较器也提供电流限制控制，还有一个图腾柱输出级，设计用于输出或吸收高峰值电流。适用于驱动NMOS，在关断状态下为低电平。
意法半导体UC3845B芯片提供了实现离线式PWM或DC-DC固定频率电流模式控制方案所需的特性，外围非常精简。
UC3845B内部集成一个微调振荡器，用于在电压锁定条件下进行精确的负载周期控制，启动电流小于 0.5mA；一个精密基准，用于在误差放大器输入端进行精确微调；放大器输入端能够直接进行精度微调，用于确保锁存操作；一个PWM比较器，同时提供电流限制控制；以及一个图腾柱输出级，用于源极或汇入高峰值电流。适用于驱动NMOS，在关断状态下为低电平。
意法半导体L6562A是一款在过渡模式下工作的电流模式PFC控制器。它的外形与前代产品 L6561和L6562相同，但性能有所提高。
L6562A图腾柱输出级可提供600mA源电流和800 mA灌电流，适合驱动大电流MOSFET或 IGBT。另外该器件的功耗极低（启动前最大 60µA，工作时 5 mA），并具有适用于集成电路远程开/关功能，从而更容易满足节能要求（蓝天使、能源之星、Energy2000 等）。
意法半导体L6599A是一颗固定50%占空比的半桥控制器，芯片内置600V高压驱动器，内部集成同步DMOS，无需外置自举二极管。L6599A支持高达500KHz开关频率，支持PFC控制。
意法半导体的STNRG011是一颗数字化多模式PFC+意法专利time shift控制模式的LLC控制器，内置800V高压启动电路，内置输入电压检测和X电容放电功能，可降低待机功耗。内置的PFC控制器支持输入电压前馈，THD优化以及频率限制，运行在增强型固定导通时间模式下的临界模式。
STNRG011内置整套的PFC保护，谐振半桥的时间方便控制，支持快速突发模式的增强型轻载突发模式，内置完整的半桥保护功能。可用于开放式电源、平板电视电源、PC电源和适配器应用。
STNRG011采用SO20封装，引脚采用区块化设计，将高压和驱动引脚与采样引脚分开，便于电路优化设计。内置8位数字内核控制，内置数字算法和硬件模拟电路，实现高性能和高可靠的电源设计。芯片内置ROM存储器用于存储算法，参数可在生产阶段存储在器件存储器中，实现灵活的功能配置。并支持UART引脚通信，实现监控功能，连接外部存储器或从外部存储器更新内部存储信息。
意法半导体SRK2001是一颗用于LLC谐振转换器的自适应同步整流控制器，内置双NMOS驱动输出，支持32V供电电压，具备35ns的总关断延迟，支持标准驱动电压的同步整流管。
另外，这款芯片具有自适应屏蔽时间的导通逻辑和自适应关断逻辑，可最大限度地延长SR MOSFET导通时间，从而无需使用寄生电感补偿电路。
丝印103AIW的芯片来自意法半导体，实际型号为TSM103WAI，是一颗内置2.5V电压基准的双运放，用于输出电压反馈和恒流控制。
意法半导体TSV994四路运算放大器提供低压和轨至轨输入输出。这一些器件具有非常出色的性能和能耗比，提供20 MHz增益带宽，在增益超过4时保持稳定，而在5时最大功耗仅为1.1mA。
这款芯片还具有超低输入偏置电流的特点，是传感器接口、内置电池供电的小型设备的理想选择。
意法半导体TL074是一颗高速JFET输入运算放大器。该器件具有高压摆率、低输入偏置和失调电流以及低失调电压等特点。
意法半导体L6498是一款用于NMOS或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。器件高压侧部分可承受高达500 V的直流电压和600V的瞬态耐压。兼容CMOS/TTL逻辑，电压可低至3.3V，便于连接微控制器或DSP等控制单元。
L6498下部和上部驱动部分都有独立的UVLO保护电路，可防止功率开关在低效或危险条件下工作。
意法半导体TSM1014是一个高度集成的解决方案，用于需要CV和CC模式的的SMPS应用。内部集成电压基准和两路比较器，可用于电源恒压恒流控制。
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意法半导体ST33G1M2是专为安全移动应用设计的MCU。它采用了用于嵌入式安全系统的最新一代 ARM® 处理器。其 SecurCore® SC300™ 32 位 RISC内核建立在 Cortex® M3 内核的基础上，具有额外的安全功能，有助于抵御高级形式的攻击。
该芯片还具有用于高级加密功能的硬件加速器。EDES 外设可实现安全的 DES（数据加密标准）算法，而 NESCRYPT 密码处理器则可有效支持公钥算法。AES外设可确保安全、快速地执行 AES算法。
意法半导体STM32F031F6P7这款MCU集成了高性能ARM架构，工作频率最高可达48 MHz，还集成了高速嵌入式存储器以及各种增强型外设和 I/O，内置省电模式允许设计低功耗应用。
这款MCU应用简单，功能丰富，适用于便携设备、A/V 接收器和数字电视、PC外设、游戏外设、工业应用、PLC、变频器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVAC等多种场景应用。
意法半导体STM32G070CBT6这款MCU基于高性能Arm架构，工作频率高达 64 MHz。这款芯片成了存储器保护单元、高速嵌入式存储器、一个多达19个通道的12位ADC、一个低功耗 RTC、一个PWM定时器、五个通用 16 位定时器、两个基本看门狗定时器和一个SysTick定时器。
这些微控制器集成度高，适用于消费、工业和家电领域的各种应用，并能应用于物联网（IoT）解决方案。
意法半导体STM32F072CBU7集成了高性能ARM架构，工作频率高达 8 MHz，内置高速嵌入式存储器，以及广泛的增强型外设和 I/O。所有器件都提供标准通信接口，内置全套省电模式允许设计低功耗应用。
意法半导体STM32F072CBU7提供七种不同封装的器件，还可根据要求提供裸片形式。这款MCU适用于便携设备、A/V 接收器和数字电视、PC设备、游戏设备、工控、PLC、变频器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVAC等多种应用。
意法半导体STM8L151F3U6采用增强型STM8 CPU内核，可提供更强的解决能力（16 MHz 时高达 16 MIPS），同时保持了CISC架构的优势，具有更高的代码密度、24 位线性寻址空间和针对低功耗操作的优化。
该芯片集成了大量增强型 I/O 和外设、一个 12 位 ADC、两个比较器、一个实时时钟、两个 16 位定时器、一个 8 位定时器以及 SPI、I2C 接口和一个 USART 等标准通信接口。外设集的模块化设计允许在不同的 ST 微控制器系列（包括 32 位系列）中使用相同的外设。这使得向不同系列的过渡变得很容易，可使用一套通用的开发工具，有效简化过渡流程。
意法半导体STM8S003F3P6是一款8位MCU，提供 8KB 闪存程序存储器，以及集成的真正数据 EEPROM。这款芯片具备性能高、坚固耐用、系统成本低开发简单等卓越特性。
得益于真正的数据 EEPROM（支持高达 100000 次写入/擦除循环）、采用最先进的技术制造的先进内核和外设（16 MHz 时钟频率）、稳健的 I/O、内置独立时钟源的独立看门狗以及时钟安全系统，有效提升芯片性能和稳定性。
STM32F103RCT6提供三个12 位 ADC、四个通用 16 位定时器和两个 PWM 定时器，以及标准和高级通信接口：多达两个 I2C、三个 SPI、两个 I2S、一个 SDIO、五个 USART、一个 USB 和一个 CAN。适合消费电子、工控、通信等多种场景应用。
意法半导体STM8S005K6是一款8位MCU，提供32KB闪存程序存储器和128KB数据 EEPROM，具备性能高、坚固耐用、系统成本低、开发周期短等优点。
得益于真正的数据 EEPROM（支持高达 100000 次写入/擦除循环）、先进内核和外设（16 MHz 时钟频率）、稳健的 I/O、具有独立时钟源的独立看门狗以及时钟安全系统，使其具备更强的稳定性。
该芯片还集成全套 DSP 指令和内存保护单元 (MPU)，提高了应用的安全性，内置高速嵌入式存储器、高达4 Kbyte的备份SRAM以及连接到两条APB总线、两条AHB总线位多AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
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这款芯片提供三个 12 位 ADC、四个通用 16 位定时器和两个 PWM 定时器，以及标准和高级通信接口：多达两个 I2C、三个 SPI、两个 I2S、一个 SDIO、五个 USART、一个 USB 和一个 CAN，并内置省电模式允许设计低功耗应用。适合电机驱动、工控、医疗、储能、消费电子等多种场景应用。
芯片提供标准通信接口（最多两个 I2C、最多两个 SPI 和最多六个 USART）、一个 12 位 ADC、七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器，内置省电模式以满足低功耗应用。STM32F030K6T6能够完全满足消费电子、储能、工控、医疗等场景需求。
这款芯片提供标准通信接口（最多两个 I2C、最多两个 SPI 和最多六个 USART）、一个 12 位 ADC、七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。内置省电模式满足低功耗场景应用，提供多种封装形式。该芯片适合消费电子、工控、通信、医疗、储能等多个应用场景。
这款MCU提供两个快速12位ADC、三个超高速比较器、一个运算放大器、三个DA 通道、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、一个通用 32 位定时器、一个电机控制专用定时器和四个通用16位定时器，内置标准和高级通信接口。该芯片还内置省电模式，满足低功耗应用。
这款MCU提供三个 12 位 ADC、四个通用 16 位定时器和两个 PWM 定时器，以及标准和高级通信接口：多达两个 I2C、三个 SPI、两个 I2S、一个 SDIO、五个 USART、一个 USB 和一个 CAN。同时提供省电模式，以允许满足低功耗应用。这款芯片很适合各种消费电子、工控、储能、通信等设备应用。
意法半导体STM32L433RC是基于高性能 Arm® Cortex®-M4 32 位RISC 内核的MCU，工作频率高达80MHz。Cortex-M4 内核具有单精度浮点运算单元 (FPU)，支持所有 Arm® 单精度数据处理指令和数据类型。芯片内置全套 DSP 指令和内存保护单元 (MPU)，提高了应用的安全性。
这些芯片提供一个快速12位ADC、两个比较器、一个运算放大器、两个 DAC 通道、一个内部电压基准缓冲器、一个低功耗RTC、一个通用32位定时器、一个电机控制专用16位PWM定时器、四个通用16位定时器和两个16 位低功耗定时器，满足消费电子、工控、通信等多场景应用，提供多种封装。
意法半导体STM32L431CCT6是基于高性能 Arm® Cortex®-M4 32位RISC内核的MCU，工作频率高达 80 MHz。Cortex-M4 内核具有单精度浮点运算单元 (FPU)，支持所有 Arm® 单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了全套 DSP 指令和内存保护单元 (MPU)，提高了应用的安全性。
STM32L431CCT6为嵌入式闪存和 SRAM 嵌入了多种保护机制，提供多达 21 个电容感应通道，同时还具有标准和高级通信接口，提供32引脚到100引脚九种封装形式。
意法半导体SG3525AP可用于设计各种的逆变器，可有效提升整机性能并减少外部零件数量。
该器件采用MDmesh™ 技术制造，导阻低，开关性能卓越，适合追求高效的场景应用。
这款器件采用MDmesh™ M2 技术制造，导阻低，开关性能卓越，适合追求高效的场景应用。
该器件采用MDmesh™ M2技术制造，具有低导阻和优化的开关特性，适用于各类追求高效的场景应用。
这款功率MOS采用垂直结构，从而获得极小的导通电阻和栅极电荷值。能够完全满足高效率电源转换器的严苛要求。
这款器件基于MDmesh™ M5创新垂直工艺技术，采用水平布局，具有极低的导通电阻，非常适合于要求高功率和高效率的应用。
这款SuperMESH3™ 功率MOS是意法半导体SuperMESH™技术改进的结果，结合了全新优化的垂直结构。具有极低的导通电阻、出色的动态性能和高雪崩能力，适合各种苛刻场景应用。
这款器件是采用MDmesh™ M2技术开发的MOS。由于采用了条状布局和改进的垂直结构，这一些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，因此适用于追求高效的场景应用。
这款器件是采用新一代 MDmesh™ M2 技术开发由于采用了条状布局和改进的垂直结构，具有更低的导通电阻和更好的开关特性，适用于要求苛刻的高效率电源适配器。
这款器件为MDmesh™ 技术制造，采用了条状布局和改进的垂直结构，具有低导通电阻和优化过的开关特性，因此适用于追求高效率的电源适配器应用。
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这款器件是采用意法半导体SuperMESH™ 技术制造，是PowerMESH™ 技术的优化升级款。除了大幅度降低导通电阻外，该器件还能确保高水平的dv/dt 能力，满足各种苛刻场景的需求。应用案例：
STF6N62K3采用这些SuperMESH3™技术制造，结合了全新优化的垂直结构。具有极低的导通电阻、出色的动态性能和高雪崩能力。应用案例：
这款器件采用MDmesh™ 技术制造。这款功率MOS将垂直结构与意法的条状布局相结合，从而具备低导通电阻和栅极电荷，适用于追求高效的场景应用。应用案例：
这款器件采用意法半导体PowerMESH™水平布局结构制造，导通电阻很低，非常适合于需要超高功率密度和追求高效的场景应用。应用案例：
这款器件采用MDmesh™ M6技术制造，大大降低导阻，提供设备整机效率。应用案例：
该器件是采用 MDmesh™ M2 技术开发的N沟道功率MOSFET。由于采用了条状布局和改进的垂直结构，该器件具有低导通电阻和优化的开关特性，因此适用于追求高效的场景应用。应用案例：
这款器件采用STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，导阻、内部电容和栅极电荷三低，从而提升整机效率。应用案例：
STP34NM60N采用第二代MDmesh™ 技术制造。这款器件将垂直结构与意法条状布局相结合，以此来实现了世界上最低的导通电阻和栅极电荷，适用于追求高效的场景应用。应用案例：
意法半导体STP6NK90Z是一颗NMOS，采用意法半导体的SuperMESH™ 技术开发。耐压900V，导阻1.56Ω，采用TO220封装。拆解报告：戴尔870W银牌服务器电源
意法半导体SuperMESH系列是PowerMESH的优化升级款。除了大幅度降低导通电阻外，还可提供非常好的 dv/dt 能力。应用案例：
这款MOS基于意法成熟的高压MESH OVERLAY™ 工艺，内置意法半导体专有的边缘端接结构、能够给大家提供单位面积最低的 RDS(on)、极低栅极电荷和卓越开关特性。应用案例：
这款器件具备结温能力强，漏电流低的特性，并在在漏电流和正向压降之间实现了良好的平衡，采用TO-220FPAB封装。应用案例：
这款器件结温能力强，具备低正向压降电流，采用TO-220FPAB封装。应用案例：
意法半导体STPSC8H065D是一款肖特基二极管，规格为8A 650V。
STPSC8H065DLF采用薄型PowerFLAT™8x8 HV封装，既可提供低正向导通压降带来的高能效品质，也可满足网络通信、工业或、再次生产的能源领域对器件的高浪涌能力要求。应用案例：
意法半导体STPS10H100CT是一颗耐压100V，2*5A电流的肖特基二极管，采用TO220封装。
意法半导体STPR1020CT是一颗超快恢复二极管，规格为10A 200V，采用TO220封装。应用案例：
意法半导体STTH30L06W是一颗超快恢复二极管，规格为30A 600V。
STTH30L06W采用ST Turbo 2 600V技术，很适合在开关电源和工业应用中用作整流和非连续模式PFC升压二极管。应用案例：
意法半导体STTH3R06S是一颗600V 3A的超快速二极管，采用SMC封装。
STTH3R06S非常适合于电源中的箝位、缓冲以及其他功率开关应用。应用案例：
意法半导体STTH10LCD06是一款超快恢复二极管，规格为10A 600V。
STTH10LCD06采用ST Turbo 2技术制造。该器件适用于多种电源应用，非常适合于LCD开关电源。应用案例：
意法半导体STTH208U是一颗2A 800V的超快恢复二极管，采用SMB封装，用于升压输出桥式整流。
这款器件采用意法超高速高压平面技术制造，非常适合于电源和其他功率开关应用中的箝位、缓冲等功能应用。应用案例：
意法半导体FD40H100STS是一颗耐压100V，40A的场效应整流二极管，采用TO220封装。应用案例：
意法半导体的MASTERGAN1是一颗半桥氮化镓器件，内置两颗GaN功率器件以及驱动器，采用9*9*1mm的QFN封装，集成度很高。650V耐压，150mΩ导阻，工作电流10A。
得益于MASTERGAN1内部集成半桥驱动器和GaN开关管，可以大幅度减少外围的元件数量，同时方便PCB布局，实现灵活简洁快速的设计。这颗半桥氮化镓芯片适用于开发ACF和LLC架构的高性能电源产品。应用案例：
意法半导体MASTERGAN4是一颗半桥氮化镓合封芯片，采用QFN9×9封装，芯片内置两颗耐压650V，导阻225mΩ的氮化镓开关管和半桥驱动器，工作电流6.5A。
MASTERGAN4的芯片内部控制信号走线与功率走线采用分离设计，便于走线。并且下部和上部驱动部分都具有UVLO保护功能，可防止电源开关在低效和不正常的情况下工作。适用于ACF和LLC开关电源应用。应用案例：
丝印TN815800的可控硅器件来自意法半导体，实际型号为TN815-800B-TR，规格为800V 8A，采用DPAK封装。应用案例：
充电头网了解到，意法半导体是业界为数不多在电源芯片、功率器件、MCU、传感器等领域同时布局的半导体企业，在全球多个国家的地区设有分公司，可以为制造商提供完善的一站式解决方案。现如今意法半导体已确定进入众家国内外知名品牌的供应链，在近40年的运营下有口皆碑。未来意法半导体还将继续秉持以人为本、诚信经商、追求卓越的企业价值观，坚守持续发展的企业理念，持续改进工艺制程，致力于2027年实现碳中和(在范围1和2内完全实现碳中和，在范围3内部分实现碳中和)。
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